51精品国自产在线,亚洲av 无码片一区二区三区,年轻的母亲5在线,国产美女精品免费观看网站 ,欧美性appstin孕妇欧,牛牛影视精品一区二区在线看,久久人人爽人人爽av东京热,都市人妻中文字幕

| 設(shè)為主頁 | 保存桌面 | 手機(jī)版 | 二維碼
普通會員

世輝電子(香港)有限公司

SiC碳化硅MOSFET香港代理，基本半導(dǎo)體香港代理，LLC諧振SiC碳化硅MOSFET，國產(chǎn)SiC...

公司介紹
新聞中心
  • 暫無新聞
聯(lián)系方式
站內(nèi)搜索
 
您當(dāng)前的位置：首頁 » 公司介紹
公司介紹
專業(yè)分銷BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本半導(dǎo)體單管IGBT，BASiC基本半導(dǎo)體IGBT模塊，BASiC基本半導(dǎo)體三電平IGBT模塊，BASiC基本半導(dǎo)體I型三電平IGBT模塊，BASiC基本半導(dǎo)體T型三電平IGBT模塊，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊，單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片（帶VCE保護(hù)）BTD3011,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲一體機(jī)，儲能變流器，儲能PCS,雙向LLC電源模塊，儲能PCS-Buck-Boost電路，光儲一體機(jī),PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲一體機(jī)、儲能變流器PCS、OBC車載充電器，熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動(dòng)，大功率工業(yè)電源，工商業(yè)儲能變流器，變頻器，變槳伺服驅(qū)動(dòng)輔助電源，高頻逆變焊機(jī)，高頻伺服驅(qū)動(dòng)，AI服務(wù)器電源，算力電源，數(shù)據(jù)中心電源，機(jī)房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作，全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展！

基本半導(dǎo)體隔離驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品主要有BTD21520xx是一款雙通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片，輸出拉灌峰值電流典型值4A/6A，絕緣電壓高達(dá)5000Vrms@SOW14封裝、3000Vrms@SOP16封裝；抗干擾能力強(qiáng)，高達(dá)100V/ns；低傳輸延時(shí)至45ns；分別提供 3 種管腳配置：BTD21520M提供禁用管腳（DIS）和死區(qū)設(shè)置（DT）,BTD21520S提供禁用管腳（DIS)， BTD21520E 提供單一PWM輸入；副邊VDD欠壓保護(hù)點(diǎn)兩種可選：分別是5.7V和8.2V。主要規(guī)格有BTD21520MAWR，BTD21520MBWR，BTD21520SAWR，BTD21520SBWR，BTD21520EAWR，BTD21520EBWR，?BTD21520MAPR，BTD21520MBPR，BTD21520SAPR，BTD21520SBPR，BTD21520EAPR，BTD21520EBPR，BTD5350xx是一款單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)IC，輸出峰值電流典型值10A, 絕緣電壓高達(dá)5000Vrms@SOW8封裝，3000Vrms@SOP8封裝；抗干擾能力強(qiáng)，高達(dá)100V/ns；傳輸延時(shí)低至60ns；分別提供 3 種管腳配置：BTD5350M 提供門極米勒鉗位功能，BTD5350S 提供獨(dú)立的開通和關(guān)斷輸出管腳，BTD5350E 對副邊的正電源配置欠壓保護(hù)功能；副邊VCC欠壓保護(hù)點(diǎn)兩種可選：分別是8V和11V。主要規(guī)格有BTD5350MBPR，BTD5350MCPR，BTD5350MBWR，BTD5350MCWR，BTD5350SBPR，BTD5350SCPR，BTD5350SBWR?，BTD5350SCWR，BTD5350EBPR，BTD5350ECPR，BTD5350EBWR，BTD5350ECWR，BTD3011R是一款單通道智能隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片，采用磁隔離技術(shù)；絕緣電壓高達(dá)5000Vrms@SOW16封裝；輸出峰值電流典型值15A；管腳功能集成功率器件短路保護(hù)和短路保護(hù)后軟關(guān)斷功能，集成原副邊電源欠壓保護(hù)；集成副邊電源穩(wěn)壓器功能，此穩(wěn)壓器可以根據(jù)副邊電源輸入電壓，使驅(qū)動(dòng)管腳自動(dòng)分配正負(fù)壓，適用在給電壓等級1200V以內(nèi)的IGBT或者碳化硅 MOSFET驅(qū)動(dòng)。BTL2752x 系列是一款雙通道、高速、低邊門極驅(qū)動(dòng)器，輸出側(cè)采用軌到軌方式；拉電流與灌電流能力可高達(dá) 5A，上升和下降時(shí)間低至 7ns 與 6ns；芯片的兩個(gè)通道可并聯(lián)使用，以增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流能力；信號輸入腳z大可抗-5V的持續(xù)負(fù)壓，支持4個(gè)標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng)：BTL27523帶使能雙路反相，BTL27523B不帶使能雙路反相 和 BTL27524帶使能雙路同相，BTL27524B不帶使能雙路同相。主要規(guī)格：BTL27523R，BTL27523BR，BTL27524R，BTL27524BR

專業(yè)分銷基本半導(dǎo)體全碳化硅MOSFET模塊，Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊，62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊，F(xiàn)ull SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC)，空調(diào)熱泵驅(qū)動(dòng)，機(jī)車輔助電源，儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機(jī)，超高頻伺服驅(qū)動(dòng)器，高速電機(jī)變頻器等. 光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT，PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓?fù)淠孀兡K。儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，光儲碳化硅MOSFET。

基本半導(dǎo)體再度亮相全球功率半導(dǎo)體展會——PCIM Europe 2023，在德國紐倫堡正式發(fā)布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代產(chǎn)品性能大幅提升，產(chǎn)品類型進(jìn)一步豐富，助力新能源汽車、直流快充、光伏儲能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

LLC，移相全橋等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)ZVS主要和Coss、關(guān)斷速度和體二極管壓降等參數(shù)有關(guān)。Coss決定所需諧振電感儲能的大小，值越大越難實(shí)現(xiàn)ZVS；更快的關(guān)斷速度可以減少對儲能電感能量的消耗，影響體二極管的續(xù)流維持時(shí)間或者開關(guān)兩端電壓能達(dá)到的z低值；因?yàn)槔m(xù)流期間的主要損耗為體二極管的導(dǎo)通損耗.在這些參數(shù)方面，B2M第二代碳化硅MOSFET跟競品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小，需要的死區(qū)時(shí)間初始電流??；B2M第二代碳化硅MOSFET抗側(cè)向電流觸發(fā)寄生BJT的能力會強(qiáng)一些。B2M第二代碳化硅MOSFET體二極管的Vf和trr 比競品有較多優(yōu)勢，能減少LLC里面Q2的硬關(guān)斷的風(fēng)險(xiǎn)。綜合來看，比起競品，LLC，移相全橋應(yīng)用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現(xiàn)會更好.

碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域z受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。適用于高性能變換器電路與數(shù)字化先進(jìn)控制、高效率 DC/DC 拓?fù)渑c控制，雙向 AC/DC、電動(dòng)汽車車載充電機(jī)（OBC）/雙向OBC、車載電源、集成化 OBC ，雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓?fù)渑c控制，直流配網(wǎng)的電力電子變換器。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進(jìn)行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上，基本半導(dǎo)體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn)
更低比導(dǎo)通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案，比導(dǎo)通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著提升。

更低器件開關(guān)損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。

更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。

更高工作結(jié)溫：第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C，提高器件高溫工作能力。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M035120YP，B2M020120H，B2M020120Z，B2M020120R，B2M1000170H，B2M1000170Z，B2M1000170R，B2M0242000Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊，半橋SiC MOSFET模塊，ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，T型三電平模塊，MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。
B2M035120YP國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M0242000Z國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R024M1H。
B2M040120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K，意法SCT040W120G3-4AG。
B2M020120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K，意法SCT015W120G3-4AG。
B2M1000170R國產(chǎn)代替英飛凌IMBF170R1K0M1，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H國產(chǎn)代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z國產(chǎn)代替英飛凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S，C3M0075120K-A，意法SCT070W120G3-4AG。

LLC，移相全橋等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)ZVS主要和功率MOSFET的Coss、關(guān)斷速度和體二極管壓降等參數(shù)有關(guān)。Coss決定所需諧振電感儲能的大小，值越大越難實(shí)現(xiàn)ZVS；更快的關(guān)斷速度可以減少對儲能電感能量的消耗，影響體二極管的續(xù)流維持時(shí)間或者開關(guān)兩端電壓能達(dá)到的z低值；因?yàn)槔m(xù)流期間的主要損耗為體二極管的導(dǎo)通損耗。B2M跟競品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更?。?15pF），需要的死區(qū)時(shí)間初始電流??；B2M第二代碳化硅MOSFET抗側(cè)向電流觸發(fā)寄生BJT的能力更強(qiáng)。B2M第二代碳化硅MOSFET的體二極管的Vf和trr比競品優(yōu)勢明顯，能減少LLC里面Q2的硬關(guān)斷的風(fēng)險(xiǎn)。綜合來看，相對競品，在LLC，移相全橋型電源應(yīng)用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現(xiàn)會更好.
公司檔案
公司名稱： 世輝電子(香港)有限公司 公司類型： 企業(yè)單位 (服務(wù)商)
所 在 地： 香港 公司規(guī)模：
注冊資本： 未填寫 注冊年份： 2002
資料認(rèn)證：
保 證 金： 已繳納 0.00 元
經(jīng)營模式： 服務(wù)商
經(jīng)營范圍： SiC碳化硅MOSFET香港代理，基本半導(dǎo)體香港代理，LLC諧振SiC碳化硅MOSFET，國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅(qū)動(dòng)SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機(jī)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，碳化硅MOSFET替代IGBT，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)碳化硅MOSFET，英飛凌SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，安森美SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，ST碳化硅MOSFET國產(chǎn)替
銷售的產(chǎn)品： SiC碳化硅MOSFET香港代理，基本半導(dǎo)體香港代理，LLC諧振SiC碳化硅MOSFET，國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅(qū)動(dòng)SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機(jī)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，碳化硅MOSFET替代IGBT，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)碳化硅MOSFET，英飛凌SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，安森美SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，ST碳化硅MOSFET國產(chǎn)替
采購的產(chǎn)品： SiC碳化硅MOSFET香港代理，基本半導(dǎo)體香港代理，LLC諧振SiC碳化硅MOSFET，國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅(qū)動(dòng)SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機(jī)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，碳化硅MOSFET替代IGBT，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)碳化硅MOSFET，英飛凌SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，安森美SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，ST碳化硅MOSFET國產(chǎn)替
主營行業(yè)：
電工電氣
©2025 世輝電子(香港)有限公司 版權(quán)所有   技術(shù)支持：KET發(fā)布網(wǎng)   訪問量:417   網(wǎng)站首頁   管理入口